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IXFA4N100P

Name: IXYS IXFA4N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA4N100P
Price: 5.16 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFA4N100P

Fabricante N.º:

IXFA4N100P

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V

Hoja de datos:

IXFA4N100P Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.3 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	6 V
Qg - Carga de puerta:	26 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	50 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.8 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	36 ns
Serie:	IXFA4N100
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	37 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns
Peso de la unidad:	1.600 g

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CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

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