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IXFH110N25T

Name: IXYS IXFH110N25T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH110N25T
Price: 5.34 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFH110N25T

Fabricante N.º:

IXFH110N25T

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 0V

Hoja de datos:

IXFH110N25T Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	250 V
Id - Corriente de drenaje continua:	110 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	24 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	157 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	694 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	IXFH110N25T
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

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