IXFH8N80

IXYS
747-IXFH8N80
IXFH8N80

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 Amps 800V 1.1 Rds

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 30   Múltiples: 30
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$5.79 $173.70
$4.82 $578.40
$4.29 $2,187.90
$4.01 $4,090.20

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
800 V
8 A
1.1 Ohms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
180 W
Enhancement
HyperFET
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: PH
Tiempo de caída: 35 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 15 ns
Serie: IXFH8N80
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 70 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 35 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99

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