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IXFK26N120P

Name: IXYS IXFK26N120P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK26N120P
Price: 37.01 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFK26N120P

Fabricante N.º:

IXFK26N120P

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V

Hoja de datos:

IXFK26N120P Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-264-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	26 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	500 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	6.5 V
Qg - Carga de puerta:	255 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	960 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	58 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	13 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	55 ns
Serie:	IXFK26N120
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	76 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	56 ns
Peso de la unidad:	10 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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