IXFL38N100Q2

IXYS
747-IXFL38N100Q2
IXFL38N100Q2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q2-Class HiperFET 1000, 22A

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 300   Múltiples: 25
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$41.84 $12,552.00
500 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
22 A
280 mOhms
- 30 V, 30 V
- 55 C
+ 150 C
380 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: PH
Tiempo de caída: 15 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 28 ns
Serie: IXFL38N100
Cantidad de empaque de fábrica: 25
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 57 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 25 ns
Peso de la unidad: 10 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99