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IXFN210N30X3

Name: IXYS IXFN210N30X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN210N30X3
Price: 52.09 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFN210N30X3

Fabricante N.º:

IXFN210N30X3

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET MBLOC 300V 210A N-CH X3CLASS

Hoja de datos:

IXFN210N30X3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$52.09	$52.09
	$41.93	$419.30
	$38.48	$3,848.00
1,000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	300 V
Id - Corriente de drenaje continua:	210 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	695 W
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	15 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	40 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	210 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	38 ns
Peso de la unidad:	123 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Heat Pumps

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X3-Class Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X3-Class Power MOSFETs with HiPerFET™ are avalanche-rated fast intrinsic diodes with N-channel enhancement mode. These MOSFETs feature low R_DS(ON), low gate charge (Q_G), and high-power density. IXYS X3-Class 200V-300V Power MOSFETs with HiPerFET remove leftover energies during high-speed switching to avoid device failure. Typical applications include DC-to-DC converters, power supplies, robotics, servo controls, and battery chargers for light electric vehicles.