+52 33 3612 7301

Parte de la familia de especialistas de TTI Contactar a Mouser (USA) +52 33 3612 7301 Comentarios

Cambiar ubicación

$ USD

En existencias

RoHS

Fabricante:	Fabricante N.º:	Cant.	Total otorgado:

Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

IXFN27N80Q

Name: IXYS IXFN27N80Q
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN27N80Q
Price: 27.39 USD
Availability: Discontinued

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

747-IXFN27N80Q

Fabricante N.º:

IXFN27N80Q

Fabricante:

IXYS

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 300 Múltiples: 10

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$27.39	$8,217.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	27 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	320 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	520 W
Serie:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	13 ns
Altura:	9.6 mm
Longitud:	38.2 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	28 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns
Ancho:	25.07 mm
Peso de la unidad:	30 g