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IXFN70N100X

Name: IXYS IXFN70N100X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN70N100X
Price: 64.5 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFN70N100X

Fabricante N.º:

IXFN70N100X

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET 1000V 65A SOT-227 Power MOSFET

Hoja de datos:

IXFN70N100X Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	65 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	89 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.2 kW
Serie:	X-Class
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	20 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	127 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	48 ns
Peso de la unidad:	30 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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