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IXSJ43N120R1K

Name: IXYS IXSJ43N120R1K
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSJ43N120R1K
Price: 19.08 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXSJ43N120R1K

Fabricante N.º:

IXSJ43N120R1K

Fabricante:

IXYS

Descripción:

MOSFETs de SiC 1200V 18mOhm (30A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L

Ciclo de vida:

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	$19.08	$19.08
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	$12.32	$1,478.40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	ISO247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	46 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	47 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	79 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	143.7 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	8 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	15 ns
Serie:	IXSJxxN120R1K
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSJxN120R1K 1200V SiC Power MOSFETs

IXYS IXSJxN120R1K 1200V SiC Power MOSFETs feature up to 1200V blocking voltage with 18mΩ or 36mΩ low R_DS(on). These IXYS SiC power MOSFETs offer a low gate charge of 79nC (IXSJ43N120R1K) or 155nC (IXS80N120R1K) and a low input capacitance of 2453pF (IXSJ43N120R1K) or 4556pF (IXSJ80N120R1K). The IXSJxN120R1K provides a 15V to 18V flexible gate voltage range and a recommended turn-off gate voltage of 0V. Applications include electric vehicle (EV) charging infrastructures, solar inverters, switch-mode power supplies, uninterruptible power supplies, motor drives, and more.