Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IXTH16N20D2

Name: IXYS IXTH16N20D2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH16N20D2
Price: 20.58 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

747-IXTH16N20D2

Fabricante N.º:

IXTH16N20D2

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 16A MOSFET

Hoja de datos:

IXTH16N20D2 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre IXYS IXTH16N20D2

En existencias: 555

Existencias:: 555

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 385
Plazo de entrega de fábrica:: 32

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$20.58	$20.58
	$13.19	$131.90
	$11.95	$1,434.00
1,020	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	16 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	208 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	695 W
Modo canal:	Depletion
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	KR
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	135 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	7 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	130 ns
Serie:	IXTH16N20D2
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	270 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	46 ns
Peso de la unidad:	6 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IXTH16N20D2 Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541500000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.