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IXTH1N200P3HV

Name: IXYS IXTH1N200P3HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH1N200P3HV
Price: 10.39 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXTH1N200P3HV

Fabricante N.º:

IXTH1N200P3HV

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247HV

Hoja de datos:

IXTH1N200P3HV Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	1 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	40 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	23.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	80 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	400 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	26 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	37 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16 ns
Peso de la unidad:	6 g

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

2000V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 2000V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 0.6A to 3A. They are specifically designed to address high blocking voltage and high voltage packages.