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IXTH220N20X4

Name: IXYS IXTH220N20X4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH220N20X4
Price: 19.33 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXTH220N20X4

Fabricante N.º:

IXTH220N20X4

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 220A N-CH X4CLASS

Hoja de datos:

IXTH220N20X4 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$19.33	$19.33
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	220 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	157 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	800 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	90 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns
Serie:	X4-Class
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	87 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXT 200V X4 Ultra Junction Power MOSFETs

IXYS IXT 200V X4 Ultra Junction Power MOSFETs are N-channel enhancement-mode devices with either 10.6mΩ, 13mΩ, or 21mΩ R_DS(on) and a 200V maximum drain-source voltage. The IXT MOSFETs are available in TO-220, TO-247, TO-263, or TO-268 standard package style that is avalanche-rated with high-power density. The IXYS IXT 200V X4 Ultra Junction Power MOSFETs are ideal for use in switch-mode and resonant-mode power supplies.

X4-Class 135V-200V Power MOSFETs

IXYS X4-Class 135V-200V Power MOSFETs are developed using a charge compensation principle and proprietary process technology. This technology results in Power MOSFETs with significantly reduced resistance R_DS(on) and gate charge Q_g. A low on-state resistance reduces the conduction losses and lowers the energy stored in the output capacitance, minimizing the switching losses. A low gate charge results in higher efficiency at light loads and lowers gate drive requirements. These MOSFETs are also avalanche-rated and exhibit a superior dv/dt performance. Due to its positive temperature coefficient of on-state resistance, these MOSFETs can be operated in parallel to meet higher current requirements.