IXTH3N200P3HV

IXYS
747-IXTH3N200P3HV
IXTH3N200P3HV

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 2KV 3A N-CH HIVOLT

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
2 kV
3 A
8 Ohms
- 20 V, 20 V
3 V
70 nC
- 55 C
+ 150 C
520 W
Enhancement
Polar3
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 60 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 27 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 67 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 21 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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