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IXTQ82N25P

Name: IXYS IXTQ82N25P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ82N25P
Price: 10.67 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXTQ82N25P

Fabricante N.º:

IXTQ82N25P

Fabricante:

IXYS

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-3P-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	250 V
Id - Corriente de drenaje continua:	82 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	35 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	142 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	22 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Serie:	IXTQ82N25
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	78 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	29 ns
Peso de la unidad:	5.500 g