IXTY01N100D

IXYS
747-IXTY01N100D
IXTY01N100D

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25

Modelo ECAD:
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$2.18 $2,289.00
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N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$4.91
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
1 kV
100 mA
80 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
5.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.1 W
Depletion
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 6 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 6 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 70
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 30 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 8 ns
Peso de la unidad: 330 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541500000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99

Standard N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS Standard 500V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode MOSFETs that require a negative gate bias to turn off. The modules remain on at or above zero gate bias voltage but otherwise have similar MOSFET-like characteristics. The series is suitable for level shifting, solid-state relays, current regulators, and active loads.