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1EDI3028ASXUMA1

Name: Infineon 1EDI3028ASXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1EDI3028ASXUMA1
Price: 5.75 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-1EDI3028ASXUMA1

Fabricante N.º:

1EDI3028ASXUMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Controladores de puertas HVGD_TRACT

Ciclo de vida:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$2.13	$2,130.00
	$2.05	$4,100.00
	$2.01	$10,050.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	IGBT Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DSO-20
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	15 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	5.5 V
Configuración:	Inverting, Non-Inverting
Tiempo de subida:	55 ns
Tiempo de caída:	45 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	5 mA
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	90 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3 Ohms
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	SiC
Nombre comercial:	EiceDriver
Alias de las piezas n.º:	1EDI3028AS SP006008852

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ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ High-Voltage Gate Driver ICs

Infineon Technologies EiceDRIVER™ High-Voltage Gate Driver ICs for Electric Vehicle (EV) applications include automotive-qualified IGBT driver ICs and SiC MOSFET driver ICs. The Infineon Technologies EiceDRIVER™ High-Voltage Gate Driver ICs provide galvanic isolation and bidirectional signal transmission with high ambient temperature capability. The ICs enable extremely short propagation delays and support IGBT and SiC technologies up to 1200V. The devices incorporate key features/parameters to drive SiC MOSFETs such as an enhanced switching behavior (extended CMTI capability, fast propagation delay, switching frequency), wide output-side supply range, short internal dead time, and DESAT/OCP threshold level adaptation. Advanced monitoring and protection features facilitate the implementation of ISO 26262 functional safety requirements and provide stable operation in harsh EMC environments.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.