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BSG0813NDIATMA1

Name: Infineon BSG0813NDIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSG0813NDIATMA1
Price: 0.99 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-BSG0813NDIATMA1

Fabricante N.º:

BSG0813NDIATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TISON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	50 A, 50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.4 mOhms, 3.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.6 V
Qg - Carga de puerta:	5.6 nC, 15 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.5 W, 6.25 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	1.4 ns, 1.7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	46 S, 70 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2.8 ns, 4.7 ns
Serie:	OptiMOS 5
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	4.3 ns, 5.7 ns,
Tiempo típico de demora de encendido:	3.6 ns, 4.3 ns
Alias de las piezas n.º:	BSG0813NDI SP001241676