BSZ0502NSIATMA1
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726-BSZ0502NSIATMA1
BSZ0502NSIATMA1
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Hoja de datos:
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $1.41 | $1.41 | |
| $0.884 | $8.84 | |
| $0.587 | $58.70 | |
| $0.463 | $231.50 | |
| $0.418 | $418.00 | |
| $0.383 | $957.50 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000) | ||
| $0.368 | $1,840.00 | |
Hoja de datos
Application Notes
- Application Note Introduction to Infineons Power MOSFET Simulation Models (PDF)
- Application Note Linear Mode Operation and SOA Power MOSFETs (PDF)
- Application Note Some key facts about avalanche (PDF)
- Buck converters negative spike at phase node (PDF)
- MOSFET detailed MOSFET behavioral analysis (Cierre)
- MOSFET OptiMOS™ datasheet explanation (PDF)
- MOSFET OptiMOS™ selection for DC-DC converters (PDF)
Other
Product Catalogs
SPICE Models
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
Guatemala
