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BSZ097N04LSGATMA1

Name: Infineon BSZ097N04LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSZ097N04LSGATMA
Price: 1.22 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSZ097N04LSGATMA

Fabricante N.º:

BSZ097N04LSGATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos:

BSZ097N04LSGATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.22	$1.22
	$0.757	$7.57
	$0.499	$49.90
	$0.393	$196.50
	$0.326	$326.00
	$0.312	$780.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$0.289	$1,445.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

BSZ097N04LS G

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.17

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	24 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	35 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	AT
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	2.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	24 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2.4 ns
Serie:	OptiMOS 3
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	16 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3.5 ns
Alias de las piezas n.º:	BSZ097N04LS G SP000388296
Peso de la unidad:	38.760 mg

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Application Notes

Models

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 40V N-Channel (Cierre)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Inductive Wireless Charging Solutions

Infineon Technologies Inductive Wireless Charging Solutions use electromagnetic fields to transfer power from a transmitter to a receiver application. This technology charges batteries without a physical connection, all thanks to a wireless charging power supply. The benefits of wireless charging in applications are not having to plug in a device and no plug compatibility issues. It’s also safer since there is no contact with exposed electrical connectors. Wireless charging is more reliable in harsher environments, like drilling and mining. It also allows for seamless on-the-go charging, whether in the car or in public places. Finally, it eliminates tangled charging cables while charging multiple devices in parallel.

Wireless Charging Solutions

Infineon Wireless Charging Solutions meet today's growing demand for wireless charge applications like smartphones, wearables, notebooks, and low-voltage drive devices. Infineon's highly efficient and cost-effective devices enable state-of-the-art solutions for the transmitter unit for inductive and resonant standards. Infineon devices are ready-to-use for the adapter/charger, fostering time-to-market of full wireless charging solutions. Infineon is a member of the Wireless Power Consortium and the AirFuel Alliance.