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FM16W08-SGTR

Name: Infineon FM16W08-SGTR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 877-FM16W08-SGTR
Price: 7.04 USD
Availability: OutOfStock

Mouser N.º:

877-FM16W08-SGTR

Fabricante N.º:

FM16W08-SGTR

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

F-RAM 64Kb 70ns 8K x 8 Parallel FRAM

Hoja de datos:

FM16W08-SGTR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$7.04	$7.04
	$6.55	$65.50
	$6.36	$159.00
	$6.21	$310.50
	$6.06	$606.00
	$5.86	$1,465.00
	$5.72	$2,860.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$5.44	$5,440.00
	$5.42	$10,840.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	F-RAM
RoHS:
Tamaño de memoria:	64 kbit
Tipo de interfaz:	Parallel
Organización:	8 k x 8
Paquete / Cubierta:	SOIC-28
Tiempo de acceso:	70 ns, 80 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.5 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	5.5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	FM16W08-SG
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	TH
País de difusión:	US
País de origen:	TH
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Voltaje de alimentación operativo:	3.3 V
Tipo de producto:	FRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Peso de la unidad:	2.215 g

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Hoja de datos

FM16W08-SGTR Hoja de datos (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320905
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542329000
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Parallel F-RAM Non-Volatile Memory

Infineon Technologies Parallel F-RAM Non-Volatile Memory operates similarly to other RAM devices and can be used as a drop-in replacement for a standard SRAM in a system. These F-RAMs read and write similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high write endurance make the F-RAM superior to other types of memory. These features make these devices ideal for non-volatile memory applications requiring frequent or rapid writes.