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FM28V020-TG

Name: Infineon FM28V020-TG
Brand: Infineon Technologies
SKU: 877-FM28V020-TG
Price: 12.86 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

877-FM28V020-TG

Fabricante N.º:

FM28V020-TG

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

F-RAM 256Kb FRAM 2.0V-3.6V FRAM

Hoja de datos:

FM28V020-TG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$12.86	$12.86
	$11.95	$119.50
	$11.58	$289.50
	$11.30	$565.00
	$10.69	$1,069.00
	$10.42	$2,605.00
	$10.41	$4,871.88
	$9.44	$8,835.84
2,808	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	F-RAM
RoHS:
Tamaño de memoria:	256 kbit
Tipo de interfaz:	Parallel
Organización:	32 k x 8
Paquete / Cubierta:	TSOP-32
Tiempo de acceso:	70 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	2 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	FM28V020-TG
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	TW
País de difusión:	US
País de origen:	US
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Voltaje de alimentación operativo:	3.3 V
Tipo de producto:	FRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	468
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Peso de la unidad:	252.740 mg

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Hoja de datos

FM28V020-TG Hoja de datos (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320905
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542329000
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Parallel F-RAM Non-Volatile Memory

Infineon Technologies Parallel F-RAM Non-Volatile Memory operates similarly to other RAM devices and can be used as a drop-in replacement for a standard SRAM in a system. These F-RAMs read and write similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high write endurance make the F-RAM superior to other types of memory. These features make these devices ideal for non-volatile memory applications requiring frequent or rapid writes.