FM28V202A-TGTR

Infineon Technologies
727-FM28V202A-TGTR
FM28V202A-TGTR

Fabricante:

Descripción:
F-RAM 2Mb, 60Mhz 128K x 16 FRAM

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre Infineon Technologies FM28V202A-TGTR

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1000   Múltiples: 1000
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
$28.22 $28,220.00
2,000 Presupuesto

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
FM28V202A-TG
Embalaje:
Tray
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$33.63
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: F-RAM
RoHS:  
2 Mbit
Parallel
128 k x 16
TSOP-44
60 ns
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM28V202
Reel
Marca: Infineon Technologies
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Voltaje de alimentación operativo: 3.3 V
Tipo de producto: FRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Memory & Data Storage
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
854232090
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Parallel F-RAM Non-Volatile Memory

Infineon Technologies Parallel F-RAM Non-Volatile Memory operates similarly to other RAM devices and can be used as a drop-in replacement for a standard SRAM in a system. These F-RAMs read and write similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high write endurance make the F-RAM superior to other types of memory. These features make these devices ideal for non-volatile memory applications requiring frequent or rapid writes.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.