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FS75R12N2T7B15BPSA2

Name: Infineon FS75R12N2T7B15BPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS75R12N2T7B15B2
Price: 67.9 USD
Availability: InStock

Mouser N.º:

726-FS75R12N2T7B15B2

Fabricante N.º:

FS75R12N2T7B15BPSA2

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos IGBT 1200 V, 75 A sixpack IGBT module

Hoja de datos:

FS75R12N2T7B15BPSA2 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos IGBT
Producto:	IGBT Silicon Modules
Configuración:	6-Pack
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	75 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	HU
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tipo de producto:	IGBT Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	15
Subcategoría:	IGBTs
Tecnología:	Si
Alias de las piezas n.º:	FS75R12N2T7_B15 SP005612510

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CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

1200V Sixpack IGBT Modules

Infineon 1200V Sixpack IGBT Modules are EasyPACK™ 1B sixpack IGBT modules with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, and NTC technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V Sixpack IGBT Modules.