IFS150B12N3E4P_B11

Name: Infineon IFS150B12N3E4P_B11
Brand: Infineon Technologies
SKU: 641-IFS150B12N3E4P_B
Price: 171.45 USD
Availability: InStock

Mouser N.º:

641-IFS150B12N3E4P_B

Fabricante N.º:

IFS150B12N3E4P_B11

Fabricante:

Infineon Technologies

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos IGBT
Producto:	IGBT Silicon Modules
Configuración:	6-Pack
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.75 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	220 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Dp - Disipación de potencia :	750 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tipo de producto:	IGBT Modules
Serie:	Rectifier Diode Module
Cantidad de empaque de fábrica:	6
Subcategoría:	IGBTs
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	MIPAQ ~ PressFIT
Alias de las piezas n.º:	SP001140304 IFS150B12N3E4PB11BPSA1
Peso de la unidad:	422.455 g