IKW30N65H5XKSA1

Infineon Technologies
726-IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1

Fabricante:

Descripción:
IGBTs INDUSTRY

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
55 A
188 W
- 40 C
+ 175 C
Trenchstop IGBT5
Tube
Marca: Infineon Technologies
País de ensamblaje: CN
País de difusión: DE
País de origen: DE
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 240
Subcategoría: IGBTs
Nombre comercial: TRENCHSTOP
Alias de las piezas n.º: IKW30N65H5 SP001204194
Peso de la unidad: 6.059 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

TRENCHSTOP™ 5 IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 IGBTs are the next generation of thin wafer IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that feature significantly lower conduction and switching losses compared to currently leading solutions. TRENCHSTOP 5 is designed for applications where switching >10kHz. The wafer thickness has been reduced by >25%, which enables a dramatic improvement in both switching and conduction losses, while providing a breakthrough voltage of 650V. This quantum leap in efficiency opens up new opportunities for designers to explore.