Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IMBG65R040M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R040M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R040M2HXTM
Price: 8.87 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

726-IMBG65R040M2HXTM

Fabricante N.º:

IMBG65R040M2HXTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Hoja de datos:

IMBG65R040M2HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies IMBG65R040M2HXTMA1

En existencias: 1,450

Existencias:: 1,450 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$8.87	$8.87
	$6.07	$60.70
	$4.54	$454.00
	$4.38	$2,190.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$4.15	$4,150.00
	$4.09	$8,180.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	49 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	49 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Qg - Carga de puerta:	28 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	197 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	4.6 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	8.3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	14.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.4 ns
Alias de las piezas n.º:	IMBG65R040M2HXTMA1 SP005917207

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IMBG65R040M2HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ G2 Silicon Carbide MOSFETs allow an excellent level of SiC performance while fulfilling the highest quality standards in all common power scheme combinations (AC-DC, DC-DC, and DC-AC). SiC MOSFETs offer additional performance for photovoltaic inverters, energy storage systems, EV charging, power supplies, and motor drives, compared to Si alternatives. Infineon CoolSiC G2 MOSFETs further advance the unique XT interconnection technology (e.g., in discrete housings TO-263-7, TO-247-4) that overcomes the common challenge of improving semiconductor chip performance while maintaining thermal capability. The G2 thermal capability is 12% better, boosting the chip figures-of-merit to a robust level of SiC performance.