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IPA50R190CEXKSA2

Name: Infineon IPA50R190CEXKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPA50R190CEXKSA2
Price: 2.54 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-IPA50R190CEXKSA2

Fabricante N.º:

IPA50R190CEXKSA2

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos:

IPA50R190CEXKSA2 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	500 V
Id - Corriente de drenaje continua:	24.8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	450 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	47.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	32 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	DE
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	7.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.5 ns
Serie:	CoolMOS CE
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	54 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.5 ns
Alias de las piezas n.º:	IPA50R190CE SP001364312
Peso de la unidad:	2 g

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Packaging:PG-TO220-3-312 | IPA50R190CEXKSA2 (PDF)

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Simulation Model CoolMOS™ Power MOSFET PSpice 500V CE (Cierre)

Technical Resources

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

CoolMOS™ CE Power MOSFETs

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