IPA60R280P7SXKSA1

Infineon Technologies
726-IPA60R280P7SXKSA
IPA60R280P7SXKSA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
214 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
18 nC
- 40 C
+ 150 C
24 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: AT
País de origen: AT
Tiempo de caída: 9 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 9 ns
Serie: CoolMOS P7
Cantidad de empaque de fábrica: 500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 60 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns
Alias de las piezas n.º: IPA60R280P7S SP001658160
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Transistores de potencia CoolMOS P7 600 V

Los transistores de potencia CoolMOS P7 de 600 V de Infineon son la 7ª generación de dispositivos que utilizan una revolucionaria tecnología para MOSFET de potencia de alta tensión. Los transistores están diseñados según el principio de máxima unión (SJ) y concebidos por Infineon Technologies. Los transistores CoolMOS P7 de 600 V combinan los beneficios de un MOSFET SJ de conmuntación rápida con excelente facilidad de uso. Los transistores P7 de 600 V ofrecen tendencia de repique muy baja, magnífica resistencia del diodo del cuerpo a la conmutación dura y una excelente capacidad ESD. Las pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas y atractivas.
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CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

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CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

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CoolMOS™ P7 MOSFETs

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