IPA65R280E6

Infineon Technologies
726-IPA65R280E6
IPA65R280E6

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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En existencias: 122

Existencias:
122 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.06 $3.06
$1.53 $15.30
$1.39 $139.00
$1.13 $565.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
650 V
13.8 A
250 mOhms
- 20 V, 20 V
45 nC
- 55 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: CoolMOS E6
Cantidad de empaque de fábrica: 500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Alias de las piezas n.º: IPA65R28E6XK SP000795276 IPA65R280E6XKSA1
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99