IPB45N06S4L08ATMA3

Infineon Technologies
726-IPB45N06S4L08AT3
IPB45N06S4L08ATMA3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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En existencias: 1,314

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
9 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.18 $2.18
$1.34 $13.40
$0.945 $94.50
$0.753 $376.50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
$0.656 $656.00
$0.594 $1,188.00
$0.589 $2,945.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
45 A
7.9 mOhms
- 16 V, 16 V
1.7 V
64 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel
Cut Tape
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Tiempo de caída: 8 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 2 ns
Serie: OptiMOS T2
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 45 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 9 ns
Alias de las piezas n.º: IPB45N06S4L-08 SP001067954
Peso de la unidad: 4 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99