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IPB60R055CFD7ATMA1

Name: Infineon IPB60R055CFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB60R055CFD7ATM
Price: 7.13 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPB60R055CFD7ATM

Fabricante N.º:

IPB60R055CFD7ATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

IPB60R055CFD7ATMA1 Hoja de datos (PDF)

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IPB60R060C7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	38 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	55 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	79 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	178 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	DE
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	27 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	98 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	26 ns
Alias de las piezas n.º:	IPB60R055CFD7 SP002621130
Peso de la unidad:	4 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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