IPB60R120P7ATMA1

Infineon Technologies
726-IPB60R120P7ATMA1
IPB60R120P7ATMA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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$-.--
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
$4.11 $4.11
$2.69 $26.90
$1.96 $196.00
$1.71 $855.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
$1.57 $1,570.00
$1.48 $2,960.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
26 A
100 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
95 W
Enhancement
CoolMOS
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: MT
País de difusión: MY
País de origen: AT
Tiempo de caída: 6 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 14 ns
Serie: CoolMOS P7
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 81 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 21 ns
Alias de las piezas n.º: IPB60R120P7 SP001664922
Peso de la unidad: 4 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ P7 MOSFETs

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