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IPB80R290C3AATMA2

Name: Infineon IPB80R290C3AATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB80R290C3AATMA
Price: 5.04 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPB80R290C3AATMA

Fabricante N.º:

IPB80R290C3AATMA2

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Hoja de datos:

IPB80R290C3AATMA2 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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$-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$5.04	$5.04
	$4.03	$40.30
	$3.00	$300.00
	$2.90	$1,450.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$2.57	$2,570.00
	$2.43	$4,860.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-3-2
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	17 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	670 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	88 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	227 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	MX
País de difusión:	MY
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	12 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns
Serie:	CoolMOS C3A
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	72 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Alias de las piezas n.º:	IPB80R290C3A SP002890376
Peso de la unidad:	324 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Super fast switching Control FETs together with low EMI Sync FETs provide solutions that are easy to design in. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power Transistors provide excellent gate charge and are optimized for dc-dc conversion. OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in optimizing space, efficiency and cost. OptiMOS™ products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.