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IPD122N10N3GATMA1

Name: Infineon IPD122N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD122N10N3GATMA
Price: 1.72 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPD122N10N3GATMA

Fabricante N.º:

IPD122N10N3GATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos:

IPD122N10N3GATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.72	$1.72
	$0.949	$9.49
	$0.79	$79.00
	$0.652	$326.00
	$0.619	$619.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.584	$1,460.00
	$0.564	$2,820.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	59 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	12.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	26 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	94 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	DE
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	29 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Serie:	OptiMOS 3
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	24 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns
Alias de las piezas n.º:	IPD122N10N3 G SP001127828
Peso de la unidad:	4 g

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Models

Other

Packaging:PG-TO252-3-313 | IPD122N10N3GATMA1 (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 100V N-Channel (Cierre)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low R_DS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability.