IPD35N10S3L26ATMA2

Infineon Technologies
726-IPD35N10S3L26AT2
IPD35N10S3L26ATMA2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 24 m? max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS-T

Modelo ECAD:
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En existencias: 2,553

Existencias:
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9 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$2.37 $2.37
$1.56 $15.60
$1.01 $101.00
$0.802 $401.00
$0.748 $748.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
$0.69 $1,725.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
100 V
35 A
24 mOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
30 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Infineon Technologies
País de ensamblaje: MY
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Tiempo de caída: 3 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 4 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 18 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 6 ns
Alias de las piezas n.º: IPD35N10S3L26ATMA2 SP005549678
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.