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IPD380P06NMATMA1

Name: Infineon IPD380P06NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD380P06NMATMA1
Price: 2.44 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPD380P06NMATMA1

Fabricante N.º:

IPD380P06NMATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Hoja de datos:

IPD380P06NMATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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$-.--

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$-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.44	$2.44
	$1.43	$14.30
	$1.14	$114.00
	$0.861	$430.50
	$0.804	$804.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.719	$1,797.50
	$0.713	$3,565.00
	$0.692	$6,920.00
25,000	Presupuesto

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	35 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	38 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.1 V
Qg - Carga de puerta:	63 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	MY
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	19 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	33 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	19 ns
Serie:	IPD06P002
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	47 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16 ns
Alias de las piezas n.º:	IPD380P06NM SP004987254
Peso de la unidad:	330 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de canal P de 12 V a 250 V

Los MOSFET de potencia de canal P de 12 V a 250 V de Infineon ofrecen al diseñador una nueva opción que puede simplificar los circuitos, a la vez que optimizan el rendimiento. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Los MOSFET de potencia de canal P son ideales para aplicaciones de protección de batería, protección contra polaridad inversa, cargadores de baterías lineales, conmutación de carga, convertidores CC/CC y unidades de bajo voltaje.