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IPD42DP15LMATMA1

Name: Infineon IPD42DP15LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD42DP15LMATMA1
Price: 2.08 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPD42DP15LMATMA1

Fabricante N.º:

IPD42DP15LMATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos:

IPD42DP15LMATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$1.36	$13.60
	$0.898	$89.80
	$0.715	$357.50
	$0.666	$666.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.575	$1,437.50
	$0.553	$5,530.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	420 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	43 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	83 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	MY
País de origen:	MY
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	IPD42DP15
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	IPD42DP15LM SP005343875

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de canal P de 12 V a 250 V

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