Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IPDQ60R075CFD7XTMA1

Name: Infineon IPDQ60R075CFD7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-DQ60R075CFD7XTMA
Price: 6.95 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

726-DQ60R075CFD7XTMA

Fabricante N.º:

IPDQ60R075CFD7XTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos:

IPDQ60R075CFD7XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies IPDQ60R075CFD7XTMA1

En existencias: 748

Existencias:: 748 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$6.95	$6.95
	$4.62	$46.20
	$3.74	$374.00
	$3.32	$1,660.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 750)
	$2.95	$2,212.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HDSOP-22
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	34 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	75 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	51 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	219 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	CoolMOS CFD7
Cantidad de empaque de fábrica:	750
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	82 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns
Alias de las piezas n.º:	IPDQ60R075CFD7 SP005419739

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IPDQ60R075CFD7XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.