Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IPG20N10S4L22AATMA1

Name: Infineon IPG20N10S4L22AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-20N10S4L22AATMA1
Price: 1.77 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

726-20N10S4L22AATMA1

Fabricante N.º:

IPG20N10S4L22AATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Hoja de datos:

IPG20N10S4L22AATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies IPG20N10S4L22AATMA1

En existencias: 1,896

Existencias:: 1,896 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Las cantidades superiores a 1896 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.77	$1.77
	$1.17	$11.70
	$0.937	$93.70
	$0.84	$420.00
	$0.803	$803.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$0.716	$3,580.00
	$0.674	$6,740.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

IPG20N10S4L-22A

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$2.43

Mín.:

Producto similar

Fabricante:

Infineon Technologies

Fabricante N.º:

IPG20N10S4L-22A

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Comparar con la parte actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	20 mOhms, 20 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.1 V
Qg - Carga de puerta:	27 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	60 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	DE
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	18 ns, 18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3 ns, 3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns, 30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns, 5 ns
Alias de las piezas n.º:	IPG20N10S4L-22A SP001091984
Peso de la unidad:	100.390 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IPG20N10S4L22AATMA1 Hoja de datos (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Wireless Charging Solutions

Infineon Wireless Charging Solutions meet today's growing demand for wireless charge applications like smartphones, wearables, notebooks, and low-voltage drive devices. Infineon's highly efficient and cost-effective devices enable state-of-the-art solutions for the transmitter unit for inductive and resonant standards. Infineon devices are ready-to-use for the adapter/charger, fostering time-to-market of full wireless charging solutions. Infineon is a member of the Wireless Power Consortium and the AirFuel Alliance.

Inductive Wireless Charging - In-Car Charging

Infineon Technologies Inductive Wireless Charging - In-Car Charging allows for placing devices in a designated area to charge without a wired connection. Automotive inductive wireless charging is growing in the next generation of cars. In fact, it’s predicted that most cars will have the feature in the very near future.

75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications. These modules are available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These Infineon MOSFETs are ideal for fuel injection systems, in-vehicle wireless charging applications, and the C0₂ emission-reducing 48V power subsystem known as Board Net.