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IPP050N10NF2SAKMA1

Name: Infineon IPP050N10NF2SAKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP050N10NF2SAKM
Price: 2.96 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPP050N10NF2SAKM

Fabricante N.º:

IPP050N10NF2SAKMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos:

IPP050N10NF2SAKMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$1.07	$1,070.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	110 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.8 V
Qg - Carga de puerta:	51 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	IPP050N10NF2S SP005548848

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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