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IPP65R110CFDXKSA2

Name: Infineon IPP65R110CFDXKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP65R110CFDXKSA
Price: 5.77 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-IPP65R110CFDXKSA

Fabricante N.º:

IPP65R110CFDXKSA2

Fabricante:

Infineon Technologies

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	31.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	110 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	118 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	277.8 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	11 ns
Serie:	CFD2
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	68 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16 ns
Alias de las piezas n.º:	IPP65R110CFD SP001987346
Peso de la unidad:	2 g