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IPT65R025CM8XTMA1

Name: Infineon IPT65R025CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT65R025CM8XTMA
Price: 10.53 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPT65R025CM8XTMA

Fabricante N.º:

IPT65R025CM8XTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	$10.53	$10.53
	$7.46	$74.60
	$5.56	$556.00
	$5.54	$2,770.00
	$5.34	$5,340.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$5.17	$10,340.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PG-HSOF-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	101 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V to 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.7 V
Qg - Carga de puerta:	124 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	543 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	5.4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	121.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	28.4 ns
Alias de las piezas n.º:	IPT65R025CM8 SP006050911

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ CM8 650V Power MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V Power MOSFETs are designed according to the Superjunction (SJ) principle to offer low switching and conduction losses. These MOSFETs are suitable for hard and soft switching topologies due to the devices' commutation ruggedness. The CoolMOS™ CM8 650V MOSFETs feature fast design‑in through low ringing tendency and usage across the PFC and PWM stages. These MOSFETs enable simplified thermal management through an advanced die attach technique. The CoolMOS™ CM8 650V MOSFETs are RoHS compliant and fully qualified as per JEDEC standards for industrial applications. Typical applications include LLC resonant converters, AI servers, telecom power supplies, and data centers.

CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs are high-voltage super-junction MOSFET technology solutions. The Infineon Technologies CoolMOS 8 has an integrated fast body diode and is ideal for diverse applications. The CoolMOS 8 enhances Infineon's wide-bandgap (WBG) portfolio as the successor to the 600V CoolMOS 7 MOSFET family.