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IPW60R024P7XKSA1

Name: Infineon IPW60R024P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW60R024P7XKSA1
Price: 12.04 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPW60R024P7XKSA1

Fabricante N.º:

IPW60R024P7XKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos:

IPW60R024P7XKSA1 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	101 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	24 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	164 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	291 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	CoolMOS P7
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	IPW60R024P7 SP001866180
Peso de la unidad:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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