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IPW60R041C6

Name: Infineon IPW60R041C6
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW60R041C6
Price: 14.01 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPW60R041C6

Fabricante N.º:

IPW60R041C6

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

IPW60R041C6 Hoja de datos (PDF)

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	$14.01	$14.01
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	$9.05	$905.00
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	$8.00	$9,600.00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

IPW60R041C6FKSA1

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$13.37

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	77.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	37 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	290 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	481 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	CoolMOS C6
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	130 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns
Alias de las piezas n.º:	IPW6R41C6XK SP000718886 IPW60R041C6FKSA1
Peso de la unidad:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Infineon OptiMOS™ 3

Infineon's OptiMOS™ 3 40V, 60V, and 80V families reduce power losses up to 30% in a given standard TO package. The low switching losses and on-state resistance of the devices enable an increase in power densities by up to 30% and a reduction in part count for a given application by more than 25%, compared to competitive solutions. The OptiMOS™ 3 devices offer best-in-class RDS(on), achieving an RDS(on) as low as 1.6mΩ for 40V products in SuperSO8™ packages, 3.5mΩ for 60V products in D-PAK packages, and 2.5mΩ for 80V products in D2-PAK packages. The MOSFETs are ideal for a variety of power conversion and management applications, including SMPSs, DC/DC converters, and DC motor drives.