IPW60R070CFD7XKSA1
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726-IPW60R070CFD7XKS
IPW60R070CFD7XKSA1
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos:
En existencias: 3,281
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
19 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $7.65 | $7.65 | |
| $5.09 | $50.90 | |
| $4.12 | $412.00 | |
| $3.65 | $1,752.00 | |
| $3.24 | $3,888.00 |
Hoja de datos
Application Notes
- Application Note Introduction to Infineons Power MOSFET Simulation Models (PDF)
- Application Note Some key facts about avalanche (PDF)
- MOSFET CoolMOS CFD7 600V (PDF)
- MOSFET CoolMOS™ - electrical safety and isolation in high voltage applications (PDF)
- MOSFET CoolMOS™ primary side MOSFET selection for LLC topology (PDF)
- MOSFET detailed MOSFET behavioral analysis (Cierre)
Product Catalogs
SPICE Models
Technical Resources
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
Guatemala
