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IPW60R125P6XKSA1

Name: Infineon IPW60R125P6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW60R125P6XKSA1
Price: 4.9 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPW60R125P6XKSA1

Fabricante N.º:

IPW60R125P6XKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	113 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	56 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	219 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9 ns
Serie:	CoolMOS P6
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	44 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns
Alias de las piezas n.º:	IPW60R125P6 SP001114656
Peso de la unidad:	6 g