IPW80R280P7XKSA1
Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto
Ver especificaciones del producto
726-IPW80R280P7XKSA1
IPW80R280P7XKSA1
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
En existencias: 213
-
Existencias:
-
213 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $3.91 | $3.91 | |
| $2.16 | $21.60 | |
| $1.77 | $177.00 | |
| $1.57 | $753.60 |
Hoja de datos
Application Notes
- Application Note Introduction to Infineons Power MOSFET Simulation Models (PDF)
- Application Note Some key facts about avalanche (PDF)
- Evaluation board EVAL_45W_19V_FLYB_P7 with 800V CoolMOS™ P7 (PDF)
- MOSFET CoolMOS P7 800V (PDF)
- MOSFET CoolMOS™ - electrical safety and isolation in high voltage applications (PDF)
- MOSFET CoolMOS™ primary side MOSFET selection for LLC topology (PDF)
- MOSFET detailed MOSFET behavioral analysis (Cierre)
Product Catalogs
SPICE Models
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
Guatemala
