IR2214SSPBF

Infineon Technologies
942-IR2214SSPBF
IR2214SSPBF

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas 1200V half-bridge,3A DESAT &Soft SD,440n

Modelo ECAD:
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En existencias: 2,620

Existencias:
2,620 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$7.06 $7.06
$5.39 $53.90
$4.65 $116.25
$4.48 $448.00
$4.34 $1,085.00
$4.31 $2,155.00
$4.21 $4,210.00
4,400 Presupuesto

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$7.07
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SSOP-24
2 Driver
2 Output
2 A
11.5 V
20 V
Non-Inverting
24 ns
7 ns
- 40 C
+ 150 C
IR221X
Tube
Marca: Infineon Technologies
País de ensamblaje: MY
País de difusión: TW
País de origen: TW
Tipo lógico: CMOS
Tiempo de retardo de apagado máximo: 440 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo: 440 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Corriente de suministro operativa: 2.5 mA
Dp - Disipación de potencia : 1.5 W
Tipo de producto: Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.: 660 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 60 Ohms
Apagado: Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica: 2200
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: Si
Nombre comercial: EiceDRIVER
Peso de la unidad: 1.700 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
KRHTS:
8542311000
TARIC:
8542319000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

1200V Level-Shift Gate Drivers

Infineon 1200V Level-Shift Gate Drivers for Industrial Drives include 3-phase, half-bridge, and high and low side drivers suitable for IGBTs or MOSFETs. The 6ED2230S12T 3-phase 1200V SOI driver with integrated Bootstrap Diode (BSD) and overcurrent protection utilizes Infineon's unique Silicon-on-Insulator (SOI) level-shift technology. The 6ED2230S12T provides functional isolation with industry-leading negative VS robustness. It also provides reduced level-shift losses with the integrated bootstrap diode enabling a lower bill of material cost and smaller PCB footprint.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.