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IRF150DM115XTMA1

Name: Infineon IRF150DM115XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRF150DM115XTMA1
Price: 4.24 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IRF150DM115XTMA1

Fabricante N.º:

IRF150DM115XTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos:

IRF150DM115XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$1.95	$195.00
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	$1.49	$1,490.00
	$1.48	$3,700.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4800)
	$1.43	$6,864.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WG-WDSON-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.8 V
Qg - Carga de puerta:	33 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	78 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS DirectFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MX
Tiempo de caída:	14 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	21 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	4800
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	14 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Alias de las piezas n.º:	IRF150DM115 SP001511080

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

IRF150DM115 OptiMOS™ 5 150V MOSFET

Infineon Technologies IRF150DM115 OptiMOS™ 5 150V MOSFET is designed to optimize thermal design in order to achieve high power density and efficiency. This MOSFET offers a breakthrough reduction in R_DS(on) (up to 25% compared to the alternative in SuperSO8) and Q_rr without compromising FOM_gd and FOM_OSS. This effectively reduces design effort while optimizing system efficiency. The IRF150DM115 MOSFET is available in a DirectFET™ package with OptiMOS™ 5. The double-side-cooled package with low parasitic inductance and profile design enables high power density designs. This OptiMOS 5 150V MOSFET is suitable for use in targeting power conversion in photovoltaic optimizers, cordless power tools, and motor control. Potential applications include solar micro-inverters, synchronous rectification, and DC-DC converters.