ISC013N06NM5SCATMA1
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726-ISC013N06NM5SCAT
ISC013N06NM5SCATMA1
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package
Ciclo de vida:
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Hoja de datos:
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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Plazo de entrega de fábrica:
-
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Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $3.95 | $3.95 | |
| $2.58 | $25.80 | |
| $2.02 | $202.00 | |
| $1.69 | $845.00 | |
| $1.57 | $1,570.00 | |
| $1.46 | $3,650.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000) | ||
| $1.46 | $5,840.00 | |
